針對儲存媒體分別有_退港設(shè)備報廢_幾種徹底刪除數(shù)據(jù)的方法？
定義的兩種清除數(shù)據(jù)需求：
● 清除（Clearing）：在重新使用媒體之前，徹底刪除媒體中數(shù)據(jù)的程序，且在清除媒體中數(shù)據(jù)之前，作業(yè)環(huán)境可提供可接受的保護等級。舉例來說，所有內(nèi)部存儲器、緩沖區(qū)或其他可重復(fù)使用的內(nèi)存，都必須執(zhí)行清除，以有效杜絕讀取先前儲存的數(shù)據(jù)。
● 銷毀（Sanitization）：在重新使用媒體之前，徹底刪除媒體中數(shù)據(jù)的程序，且在銷毀媒體中數(shù)據(jù)之前，作業(yè)環(huán)境無法提供可接受的保護等級。例如，當信息系統(tǒng)資源從保密信息管制下釋出、或釋出到較低的保密層級使用前，都必須執(zhí)行數(shù)據(jù)銷毀。
執(zhí)行數(shù)據(jù)清除或銷毀的方法
舊版DOD 5220.22-M和后來的DSS C&SM，均針對磁帶、磁盤、光盤、內(nèi)存等四種類型的儲存媒體，以及同樣會暫存數(shù)據(jù)的打印機，提出了17種刪除數(shù)據(jù)的方式。而這些方式中，有15種適用于儲存媒體，又可分為消磁、覆寫、紫外線刪除與物理摧毀等基本方式。
適用的儲存媒體類型
四種儲存媒體包括：
● 磁帶：分為Type I、II、III等3類，Type I指磁化記錄時的磁場強度為350厄斯特（oersted，磁場強度單位，縮寫為Oe）以下，Type II介于351與750Oe之間，Type III則大于750Oe。
由于DOD 5220.22-M這張參考表制定的時間相當早（距今已超過10年），因此前述磁帶磁化磁場強度標準已與當前的產(chǎn)品有相當落差，如目前最普遍使用的LTO-3、4磁帶，磁場強度便分別高達2600與2710Oe。
● 磁盤：包括Bernoulli式磁盤、軟盤、不可移動的硬盤與可移動的硬盤等4種類型。
● 光盤：包括可多次讀寫、只讀與一次寫入多次讀取（WORM）等3種。
● 內(nèi)存：包括動態(tài)隨機存取內(nèi)存（DRAM）、靜態(tài)隨機存取內(nèi)存（SRAM）、只讀存儲器（ROM）、可程序化只讀存儲器（PROM）、可程序化可抹除只讀存儲器（EPROM）、快閃EPROM（Flash EPROM）、電子可變只讀存儲器（EAPROM）、電子可抹除只讀存儲器（EEPROM）、非揮發(fā)性RAM（NOVRAM），還有古老的磁芯、磁泡、磁阻與鍍磁線等13種內(nèi)存。
而針對前述四類儲存媒體，分別有以下幾種徹底刪除數(shù)據(jù)的方法：
● 消磁：可適用于磁帶與磁盤，分為Type I與Type II兩種層次的消磁，對應(yīng)于Type I、II兩種類型的磁帶。
使用消磁要特別注意二件事，首先某些磁帶與抽取式硬盤（如LTO磁帶與Zip盤片）內(nèi)含有出廠時預(yù)錄的訊息，若強制執(zhí)行消磁而使這些訊息消失，這些媒體將無法再被重復(fù)使用。其次是美國國防部的Type I/II消磁標準已太過老舊，要對當前的磁帶實施消磁，最少也得使用消磁能力2500～3000Oe的消磁機；若要消磁硬盤，則需要的消磁能力將達到4000～5000 Oe以上。
● 覆寫：包括幾種不同方法，如把所有儲存尋址位置都填入單一字符；所有尋址位置都填入單一字符后，再隨機填入字符；以隨機方式覆寫所有尋址位置，所有位置都填入二進制0值、所有位置都填入二進制1值；或事先透過制造商提供的工具刪除芯片中數(shù)據(jù)，然后把所有尋址位置都填入單一字符，然后重復(fù)三次等等。
● 紫外線照射刪除與移除電源
紫外線照射刪除適用于EPROM，移除包括電池在內(nèi)的所有電源則適用于DRAM、NOVRAM與SRAM。
● 物理摧毀：包括使儲存媒體破裂、焚化、徹底粉碎、切成條狀與融化等方式。除了手動摧毀外，目前已有廠商推出可將硬盤盤片穿刺、打洞的自動化設(shè)備。
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