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       香港半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法 半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部門（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部門）組成。五個(gè)部門意義如下： 第一部門：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)量。2-二極管、3-三極管 第二部門：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器  半導(dǎo)體 件的材料和極性。表示二極管時(shí)：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí)：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部門：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-地道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開(kāi)關(guān)管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高頻小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半導(dǎo)體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應(yīng)器件、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管、CS-場(chǎng)效應(yīng)管、BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部門：用數(shù)字表示序號(hào) 第五部門：用漢語(yǔ)拼音字母表示規(guī)格號(hào) 例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管 

     日本半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法 日本出產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由五至七部門組成。通常只用到前五個(gè)部門，其各部門的符號(hào)意義如下： 第一部門：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)量或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個(gè)pn結(jié)的其他器件、3-具有四個(gè)有效電極或具有三個(gè)pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類推。 第二部門：日本電子產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)標(biāo)志。S-表示已在日本電子產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)登記的半導(dǎo)體分立器件。 第三部門：用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結(jié)晶體管、J-P溝道場(chǎng)效應(yīng)管、K-N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管、M-雙向可控硅。 第四部門：用數(shù)字表示在日本電子產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)JEIA登記的順序號(hào)。兩位以上的整數(shù)-從“11”開(kāi)始，表示在日本電子產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)JEIA登記的順序號(hào)；不同公司的機(jī)能相同的器件可以使用統(tǒng)一順序號(hào)；數(shù)字越大，越是最新產(chǎn)品。 第五部門：用字母表示統(tǒng)一型號(hào)的改進(jìn)型產(chǎn)品標(biāo)志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號(hào)產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品。 美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法 美國(guó)晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國(guó)電子產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下： 第一部門：用符號(hào)表示器件用途的類型。JAN-軍級(jí)、JANTX-特軍級(jí)、JANTXV-超特軍級(jí)、JANS-宇航級(jí)、（無(wú)）-非軍用品。 第二部門：用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)量。1-二極管、2=三極管、3-三個(gè)pn結(jié)器件、n-n個(gè)pn結(jié)器件。 第三部門：美國(guó)電子產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（EIA）注冊(cè)標(biāo)志。N-該器件已在美國(guó)電子產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（EIA）注冊(cè)登記。 第四部門：美國(guó)電子產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)登記順序號(hào)。多位數(shù)字-該器件在美國(guó)電子產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)登記的順序號(hào)。 第五部門：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-統(tǒng)一型號(hào)器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開(kāi)關(guān)三極管，JAN-軍級(jí)、2-三極管、N-EIA 注冊(cè)標(biāo)志、3251-EIA登記順序號(hào)、A-2N3251A檔。

 國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體型號(hào)命名方法：

 德國(guó)、法國(guó)、意大利、荷蘭、比利時(shí)等歐洲國(guó)家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國(guó)家，大都采用國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法。這種命名方法由四個(gè)基本部門組成，各部門的符號(hào)及意義如下：

      第一部門：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV 如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如銻化銦、E-器件使用復(fù)合材料及光電池使用的材料 

   第二部門：用字母表示器件的類型及主要特征。A-檢波開(kāi)關(guān)混頻二極管、B-變?nèi)荻O管、C-低頻小功率三極管、D-低頻大功率三極管、E-地道二極管、F-高頻小功率三極管、G-復(fù)合器件及其他器件、H-磁敏二極管、K-開(kāi)放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極管、M-封鎖磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q-發(fā)光器件、R-小功率晶閘管、S-小功率開(kāi)關(guān)管、T-大功率晶閘管、U-大功率開(kāi)關(guān)管、X-倍增二極管、Y-整流二極管、Z-穩(wěn)壓二極管。 第三部門：用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號(hào)。三位數(shù)字-代表通用半導(dǎo)體器件的登記序號(hào)、一個(gè)字母加二位數(shù)字-表示專用半導(dǎo)體器件的登記序號(hào)。 第四部門：用字母對(duì)統(tǒng)一類型號(hào)器件進(jìn)行分檔。A、B、C、D、E┄┄-表示統(tǒng)一型號(hào)的器件按某一參數(shù)進(jìn)行分檔的標(biāo)志。 除四個(gè)基本部門外，有時(shí)還加后綴，以區(qū)別特性或進(jìn)一步分類。常見(jiàn)后綴如下： 1．穩(wěn)壓二極管型號(hào)的后綴。其后綴的第一部門是一個(gè)字母，表示不亂電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后綴第二部門是數(shù)字，表示標(biāo)稱不亂電壓的整數(shù)數(shù)值；后綴的第三部門是字母V，代表小數(shù)點(diǎn)，字母V之后的數(shù)字為穩(wěn)壓管標(biāo)稱不亂電壓的小數(shù)值。 2．整流二極管后綴是數(shù)字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。 3．晶閘管型號(hào)的后綴也是數(shù)字，通常標(biāo)出最大反向峰值耐壓值和最大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個(gè)電壓值。 如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。 五、歐洲早期半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名法 

       歐洲有些國(guó)家命名方法 第一部門：O-表示半導(dǎo)體器件 第二部門：A-二極管、C-三極管、AP-光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩(wěn)壓管、RP-光電器件。 第三部門：多位數(shù)字-表示器件的登記序號(hào)。 第四部門：A、B、C┄┄-表示統(tǒng)一型號(hào)器件的變型產(chǎn)品。 未來(lái)發(fā)展編纂 以GaN（氮化鎵）為代表的第三代半導(dǎo)體材料及器件的開(kāi)發(fā)是新興半導(dǎo)體工業(yè)的核心和基礎(chǔ)，其研究開(kāi)發(fā)呈現(xiàn)出日新月異的發(fā)展勢(shì)態(tài)。GaN基光電器件中，藍(lán)色發(fā)光二極管LED率先實(shí)現(xiàn)商品化出產(chǎn) 成功開(kāi)發(fā)藍(lán)光LED和LD之后，科研方向轉(zhuǎn)移到GaN紫外光探測(cè)器上 GaN材料在微波功率方面也有相稱大的應(yīng)用市場(chǎng)。氮化鎵半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)被譽(yù)為半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)上一個(gè)新的里程碑。美國(guó)佛羅里達(dá)大學(xué)的科學(xué)家已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種可用于制造新型電子開(kāi)關(guān)的重要器件，這種電子開(kāi)關(guān)可以提供平穩(wěn)、無(wú)中斷電源 [